MEMORIAS SINCRONAS

SDR SDRAM:

es una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas.

PC66:

se refiere al interior extraíble equipo de memoria estándar definido por el JEDEC . PC66 es DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 66.66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. PC66 está disponible en el pin 168 DIMM de 144 pines y el SO-DIMM de factores de forma. El ancho de banda teórico es de 533 MB / s.

PC 100:

PC100 es un estándar para interna desmontable ordenador memoria de acceso aleatorio , que se define por la JEDEC . PC100 se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC100 está disponible en 168-pinDIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 y fue reemplazado por el PC133 estándar.

Un módulo construido a partir de 100 MHz chips SDRAM no es necesariamente capaz de funcionar a 100 MHz. El estándar PC100 especifica las capacidades del módulo de memoria como un todo. PC100 se utiliza en muchas computadoras viejas, equipos de todo el decenio de 2000 fueron los equipos más comunes con la memoria PC100

PC 133:

PC133 es un estándar de la memoria del ordenador definido por la JEDEC . PC133 se refiere a la DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un bus de 64 bits de ancho, a una tensión de 3,3 V. PC133 está disponible en el pin 168 DIMM de 144 pines y el SO-DIMM de factores de forma. PC133 fue el más rápido y el final de SDRAM estándar que haya sido aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MB por segundo ([133,33 MHz * 64/8] = 1066 MB / s). PC133 es compatible con PC100 y PC66

DDR SDRAM:

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj.

 PC1600 O DDR200:

Con una frecuencia de bus de 100 MHz, se transfieren 64 bits a la vez.

Pc 2100:

PC 2100 (Transferencia max de 2133MB/s) y trabaja a 133MHz.

Pc 2700:

 La memoria del reloj 166, El tiempo del ciclo 6, Velocidad de datos 333.

PC3200:

DDR-corto de doble velocidad de datos-Synchronous DRAM, un tipo de SDRAM que soporta transferencias de datos en ambos extremos de cada ciclo de reloj (la subida y de bajada), duplicando el rendimiento del chip de memoria de datos.

DDR-SDRAM también consume menos energía, lo cual lo hacemuy adecuado para ordenadores portátiles.

PC4200:

Memoria DDR, o la memoria Double Data Rate, es un nuevo tipo de alto rendimiento de la memoria que se ejecuta al doble de la velocidad de la normal de SDRAM. Este DDR SDRAM es ideal para los últimos procesadores de alto rendimiento para aumentar la velocidad general del sistema.

PC4800:

Nuestra revisión se dedicará a un producto verdaderamente grande del overclocker que se puede añadir un montón de potencial para la plataforma Athlon 64. Averigüe cuáles son las ventajas de la DDR600 para la plataforma Athlon 64 son de nuestra nueva revisión de este kit de memoria premiada!

PC5300:

Mushkin es una de las empresas más conocida por fabricar y comercializar módulos de memoria "mejorados" o listos para un alto rendimiento. Fundada en 1994 y localizada a los pies de las Rocallosas en Denver, Colorado, esta empresa americana provee memorias de alta calidad y excepcional rendimiento. Las DDR2 PC5300 EM2 son las bases de su gran catálogo, con garantía de por vida, excelente compatibilidad y un gran funcionamiento.

PC6400:

 PC~6400 o DDR2~800: La memoria del reloj 200 MHz, el tiempo del ciclo 5 ns, velocidad de datos 6400 MB/s, con 240 contactos y con módulos DIMMs.

RDRAM:

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

XDR DRAM:  

Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

XDR2 DRAM:

Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se ofrece por Rambus. Fue anunciado el 7 de julio de 2005 [1] y la especificación para el cual fue lanzado el 26 de marzo de 2008.

DRD RAM:

Es un subsistema de memoria que se compromete a transferir hasta 1,6 mil millones de bytes por segundo. El subsistema consta de la memoria de acceso aleatorio (RAM), el controlador de memoria RAM, y el bus (ruta) que conecta la RAM para el microprocesador y los dispositivos en el equipo que se use.

SLD RAM:

Funcionará a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia.

SRAM:

Memoria estática de acceso aleatorio (Static Random Access Memory) es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona más rápido porque no está reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altísimo coste comparado con la DRAM.

SYNC SRAM:

La base de su velocidad síncrona RAM estática se ven favorecidas en la tecnología analítica y la metrología. Vienen en diferentes tipos de acceso como SyncBurst, Sync pipeline de ráfaga o escritura Tardío.

PIPELINED SRAM:

Se denomina memoria a los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. En un sentido más amplio, puede referirse también a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Memoria de acceso aleatorio o RAM (Random Access Memory) es la memoria basada en semiconductores que puede ser leída y escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. El acceso a las posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden. 

EDRAM:

Significa "embedded DRAM", un condensador basado en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. El costo por bit es superior a la de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones.

ESDRAM:

 Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, podiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s.

·VRAM:

Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.

SGRAM

(Synchronous Graphic Random Access Memory) es un tipo de DRAM

usado originalmente en tarjetas de video y aceleradoras graficas.

WRAM

(Windows Random Access Memory) es un diseño de memoria de
video que soporta dos puertos, lo que le permite a la tarjeta de video dirigir el contenido de la memoria a la pantalla y almismo tiempo recibir nuevos bytes.