Analogia del cuerpo humano
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N° | Letra | PARTE |
1 | I | Palanca de estacionado |
2 | A | Plato |
3 | B | Motor de giro |
4 | C | Cabeza |
5 | D | Brazo actuador |
6 | F | Preamplificador de lectura/escritura |
7 | E | Placas magnéticas |
8 | H | “Bobina de voz” |
9 | J | Ensamble de base |
10 | G | Bobina actuadora |
11 | K | Cubierta |
Cuando se aplica a la bobina la señal eléctrica procedente del amplificador o de cualquier otro equipo, se crea un campo magnético que varía de sentido de acuerdo con dicha señal. En el entrehierro del imán se coloca una bobina cilíndrica de hilo que está unida al diafragma. La bobina genera una corriente eléctrica que provoca que el imán produzca un flujo magnético que hace vibrar la membrana.Al vibrar la membrana, mueve el aire que tiene situado frente a ella, generando así variaciones de presión en el mismo, o lo que es lo mismo, ondas sonoras.En función de las variaciones de voltaje de entrada, el cono vibra y genera perturbaciones equivalentes en el aire.
Todo audífono cumple la función para la que ha sido proyectado gracias a una serie de partes fundamentales. La siguiente figura esquematiza los componentes básicos de un audífono. Esa señal sonora (acústica) debe ser convertida en señal eléctrica para ser procesada, amplificada y finalmente reconvertida en señal acústica para llevarla al oído. La señal acústica recibida es entonces amplificada luego de ser transformada en señal eléctrica. Y una vez que esta ampliación se produce es reconvertida en señal acústica a fin de poder ser captada por el oído.
LIFO (Last in-first out), la última información introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
La memoria flash es una tecnología de almacenamiento que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos pendrive.Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.
Es una innovación relativamente reciente en realidad son dos, cada una con una misión específica: Una para datos y otra para instrucciones. Están incluidas en el procesador junto con su circuitería de control, lo que significa tres cosas: comparativamente es muy cara; extremadamente rápida, y limitada en tamaño (en cada una de las cachés internas, los 386 tenían 8 KB; el 486 DX4 16 KB, y los primeros Pentium 8 KB). Como puede suponerse, su velocidad de acceso es comparable a la de los registros, es decir, centenares de veces más rápida que la RAM.